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[发明专利]硅腔结构制作方法以及硅腔结构-CN201410693331.8在审
发明人：周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅腔结构制作方法以及硅腔结构。所述硅腔结构制作方法包括：在衬底上形成多晶硅栅极以及栅极侧墙；在两个多晶硅栅极的栅极侧墙之间形成U型硅腔；对U型硅腔进行表面氧化，形成表面氧化层；去除表面氧化层，以形成扩张的U型硅腔；在扩张的U型硅腔中执行锗硅外延生长，以在扩张的U型硅腔中形成锗硅区域。
结构制作方法以及

[发明专利]一种硅基激光器及其制造方法、光模块-CN201710547808.5有效
发明人：隋少帅 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01S5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基激光器及其制造方法、光模块，涉及硅光子集成技术领域，用于简化硅基激光器的制造工艺。该硅基激光器包括：硅衬底层、设置于硅衬底层上的硅波导、硅微型谐振腔、硅反射镜以及键合于硅波导上用于向硅波导提供光的光芯片；硅波导的一端连接硅微型谐振腔，另一端连接硅反射镜；硅微型谐振腔用于对硅导波输入的光芯片提供的光进行谐振；硅反射镜对不同波长的光具有不同的反射率，用于通过硅导波接收硅微型谐振腔输出的光，部分反射硅微型谐振腔输出的光，并通过硅导波将反射的传导至硅微型谐振腔进行谐振，部分透射硅微型谐振腔输出的光对外输出。
一种激光器及其制造方法模块

[发明专利]多孔硅气体检测装置-CN201010553784.2有效
发明人：陈清伟;蔡林涛;李莎 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔硅气体检测装置，包括多孔硅微腔晶体、测试腔、光纤光谱仪和电信号检测系统，测试腔与多孔硅微腔晶体密封配合连接，多孔硅微腔晶体表面露于测试腔的内部，光纤光谱仪用于检测和记录多孔硅微腔晶体的光学信号，电信号检测系统与多孔硅微腔晶体连接用于检测并分析多孔硅微腔晶体的电信号。采用测试腔与单晶硅直接组成测试腔体，无需复杂加工过程，易于实现，价格低廉，便于推广应用；同时，通过多孔硅微腔的表面功能化修饰，并将多孔硅光学信号和电学信号检测结合起来实现对有害气体的同步检测，再进行多参数的集成分析
多孔气体检测装置

[发明专利]在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法及装置-CN200910097932.1有效
发明人：皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法，使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束，硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。本发明还公开了制备上述薄膜的装置，包括原料腔和成膜腔，原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔，成膜腔连接真空系统，成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台，硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后，样品台带动硅太阳电池移动，在硅太阳电池表面形成硅纳米颗粒薄膜。本发明方法可以有效地控制硅纳米颗粒在硅太阳电池表面的成膜速度和所得硅纳米颗粒薄膜的厚度及均匀性，本发明可以提高硅太阳电池的效率，有利于硅太阳电池成本的降低。
太阳电池表面附着纳米颗粒薄膜方法装置

[发明专利]一种消除第三腔干扰的光纤法珀压力传感器及MEMS制造方法-CN202210032737.6有效
发明人：马志波;叶芳;苑伟政;朱杰希 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除第三腔干扰的光纤法珀压力传感器及MEMS制造方法，属于高精度光纤传感技术领域。该传感器的SOI片器件层硅与硼硅玻璃同轴固定，单模光纤固结于毛细玻璃管中心孔内的，毛细玻璃固定在硼硅玻璃下表面；其中硼硅玻璃上下表面之间的区域形成法珀光学干涉硼硅玻璃腔，器件层硅的圆孔底面和硼硅玻璃上表面之间的区域形成法珀光学干涉空气腔，器件层硅内表面和圆孔底面之间的区域形成法珀光学干涉硅腔。该器件通过在第三腔—硅腔表面制备出黑硅，使得从硅腔下表面透射过来的光束在硅腔上表面发生漫反射，极大地减少硅腔干涉现象的产生，最终压力传感器中传输的光束仅受空气腔、硼硅玻璃腔的调制，形成规律的双腔干涉光谱，消除了第三腔的干扰，降低了解调难度，提高了测量的精度。
一种消除第三干扰光纤压力传感器 mems 制造方法

[实用新型]导热硅脂涂覆工装-CN202320239546.7有效
发明人：赵羿杰;阮虎 -专利权人：深圳华大智造科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B05C3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导热硅脂涂覆工装。该导热硅脂涂覆工装包括硅脂存储盒、随动件、丝网和弹性件，硅脂存储盒设有硅脂腔，随动件沿硅脂腔的深度方向可移动地置于硅脂腔内，随动件具有与硅脂腔连通的容纳腔，丝网固定于容纳腔内，弹性件的一端与随动件连接，需要进行硅脂涂覆时只需要将硅脂涂覆件置于容纳腔内，使硅脂涂覆件的涂覆面与丝网接触，然后按压硅脂涂覆件使丝网与硅脂腔的内底面接触即可完成对涂覆面的硅脂涂覆，且在涂覆完毕后弹性件能够驱动随动件复位。该导热硅脂涂覆工装结构简单、紧凑，操作简单，利用该导热硅脂涂覆工装涂覆导热硅脂的涂覆效率高，涂覆效果好。
导热硅脂涂覆工装

[发明专利]利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法及装置-CN200910098050.7有效
发明人：皮孝东;杨德仁;韩庆荣 -专利权人：浙江大学;韩庆荣
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。本发明还公开了实施该方法的装置包括带有真空管路接口的壳体，壳体内设有：带有进口和出口的熔化腔，用于对熔化腔内物料加热的加热装置；和位于熔化腔出口下方的收集装置。本发明技术方案在保证多晶硅料的纯度的情况下，显著降低多晶硅料的制备成本；不仅可以制备多晶硅料，而且可以把传统上分离的多晶硅料制备和多晶硅铸造集成起来，显著地简化工艺，提高生产效率。
利用纳米颗粒制备高纯多晶方法装置

[发明专利]一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法、赤霉素的荧光图像检测方法-CN202211518183.7在审
发明人：贾振红;李宏媛 -专利权人：新疆大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明为一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法、赤霉素的荧光图像检测方法。一种多孔硅微腔生物传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用电化学蚀刻法将p型掺硼单晶硅制备成多孔硅微腔；(2)对所述的多孔硅微腔进行功能化处理，使其中心波长蓝移至625nm后，得处理后的多孔硅微腔，即所述的多孔硅微腔生物传感器本发明所述的一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法、赤霉素的荧光图像检测方法，通过采用多孔硅微腔并对其改性，用于赤霉素的荧光图像检测，具有成本低、灵敏度高的优点。
一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法赤霉素荧光图像检测

[发明专利]一种电脑导热硅脂自动涂抹设备-CN201910523661.5有效
发明人：陈春苗 -专利权人：新乡岳衡电子信息技术有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种电脑导热硅脂自动涂抹设备，包括注料箱，所述注料箱内设有开口朝下的注料腔，所述注料箱内设有位于所述注料腔右上侧且开口朝上的硅脂储存腔，所述注料腔内设有注射硅脂装置，所述注射硅脂装置内和所述硅脂储存腔下侧端面上分别设有不少于一个的具有单向输送导热硅脂的单向注射头，所述注料腔内设有位于所述注射硅脂装置下方的涂抹装置，所述注料腔内设有位于所述注射硅脂装置左右两侧且对称的两个机械爪，所述注料腔内设有位于所述注射硅脂装置后侧的涂抹驱动装置，本发明具有较高的涂抹效率且涂抹质量易于保证的特点
一种电脑导热自动涂抹设备

[发明专利]使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法-CN201080017514.8有效
发明人：崔东元;李东亨;采·蓬;麦诺基·韦列卡;彼得·波尔什涅夫;马耶德·福阿德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种用于基板处理的装置包括处理腔室以及含硅涂层，所述处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体限定内部空间，所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上，所述含硅涂层的外表面为至少35％原子数的硅。在一些实施例中，一种用以在处理腔室中形成含硅涂层的方法包括：将包含含硅气体的第一工艺气体提供到所述处理腔室的内部空间；以及在所述处理腔室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。
使用处理壁上涂层增强清除残余自由基方法

[发明专利]可调节生长气氛中碳硅比例的碳化硅单晶生长石墨坩埚-CN202110433155.4在审
发明人：陈启生;许学仁;郭云龙;许浩 -专利权人：中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节生长气氛中碳硅比例的碳化硅单晶生长石墨坩埚，所述石墨坩埚的腔室包括坩埚原料腔和坩埚生长腔，所述坩埚原料腔的石墨壁厚度大于坩埚生长腔的石墨壁；所述坩埚原料腔包括一个碳化硅粉腔和至少两个硅粉腔；所述硅粉腔的顶部连接有硅粉输料管，所述硅粉输料管还与石墨坩埚外部的硅粉仓连接。本发明可以实现在碳化硅单晶生长过程中消耗一定的气相硅来调节成长气氛，保持碳化硅晶体生长过程中碳、硅比例处于最佳范围，从而避免在碳化硅单晶生长面出现硅液滴，进而提高碳化硅单晶生长质量。
调节生长气氛中碳硅比例碳化硅石墨坩埚

[发明专利]生长设备-CN202211336957.4在审
发明人：张乃霁;李翔 -专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种生长设备，包括坩埚，坩埚内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及硅源补充腔；坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，多孔隔板设置于晶体生长腔与气体缓冲腔之间，开合机构设置于气体缓冲腔及硅源补充腔之间；坩埚外设置有第一加热构件及第二加热构件，第一加热构件对应生长腔及气体缓冲腔设置，第二加热构件对应硅源补充腔设置。在出现富碳状态时，可以开启第二加热构件，对硅源补充腔内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构，升华的硅材料经开合机构进入到气体缓冲腔中；第一加热构件使硅材料达到与晶体生长腔相同的温度，再通过多孔隔板缓释进晶体生长腔内，进而达到补充硅的目的，提升晶体质量。
生长设备

[实用新型]一种生长设备-CN202222893075.X有效
发明人：张乃霁;李翔 -专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种生长设备，包括坩埚，坩埚为直筒状，其内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及硅源补充腔；坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，多孔隔板设置于晶体生长腔与气体缓冲腔之间，开合机构设置于气体缓冲腔及硅源补充腔之间；坩埚外设置有第一加热构件及第二加热构件，第一加热构件对应生长腔及气体缓冲腔设置，第二加热构件对应硅源补充腔设置。在出现富碳状态时，开启第二加热构件，对硅源补充腔内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构，升华的硅材料经开合机构进入到气体缓冲腔中；第一加热构件使硅材料达到与晶体生长腔相同的温度，再通过多孔隔板缓释进晶体生长腔内，进而达到补充硅的目的，提升晶体质量。
一种生长设备

[实用新型]一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构-CN202020838571.3有效
发明人：胡孝伟;代文亮;胡行勇 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本实用新型的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，属于芯片封装技术领域。包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。通过硅基板向内凹陷形成台阶腔且在台阶腔的底部贴装WB芯片，可以使得WB芯片与台阶腔的溢胶区域得到有效控制，同时，台阶腔上还可以设有金手指，可以增加硅基板的平面利用率，提高封装的集成度。
一种基于 wb 芯片台阶腔硅基封装结构

[发明专利]一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法-CN201310588119.0有效
发明人：庄须叶;陈博;黄斌;吕东锋;何凯旋;郭群英 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内进行铸摸，脱模后即得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)，对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)外部形貌参数进行检测，然后进行反推运算即可得知硅深腔构件(1)内表面的形貌参数，检测过程简单方便，且无需破坏深腔构件(1)，能够有效地降低检测成本。
一种用于微机构件硅深腔无损检测方法

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